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上海光源在硅基底上制备成功首块100nm周期的线结构图案(111103)
时间 : 2011-11-03     

上海光源软X射线干涉光刻分支线项目为中国科学院大科学装置维修改造项目。软X射线干涉光刻(XIL)是利用两束或多束相干X光束的干涉条纹对光刻胶进行曝光的新型先进纳米加工技术,可以开展最小至十几纳米周期的纳米结构加工,尤其适合于大面积(约1mm2)的纳米模板制备,为信息科学、材料科学、生命科学等重要研究领域的发展提供新的研究手段。目前,在上海光源科研人员的努力下,XIL分支线已完成安装调试,并实现高通量空间相干光输出,相干光通量大于  1*1014photos/s/2.4%BW。目前实验站利用能量92.5eV的相干软X射线光子,在硅基底周期性结构图形制作上取得初步成功:在厚度约为70nm的PMMA光刻胶上成功获得周期为100nm周期的线结构,图形面积为0.4mm×0.4mm。

 

图1 92.5eV光子经矩形出缝后的远场相干衍射图样 图2 硅基底上刻蚀的100纳米周期的线结构

 

(上海光源信息员汪蕾提供)